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SamsungはGAAFET×NAND方式、SK hynixは垂直スタック——次世代DRAM製造で2社が異なる戦略を採用か

SamsungはGAAFET×NAND方式、SK hynixは垂直スタック——次世代DRAM製造で2社が異なる戦略を採用か

2026年5月8日

SamsungSK hynix

サムスンが時価総額1.21兆ドルに到達——半導体部門の営業利益が前年比756%増、通常DRAMがHBMを収益で上回る

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2026年5月7日